功率晶体管
1、通态特性：大注入下基区和集电区发生调制效应，通态压降很低 2、开关特性：关断过程中的电流集中现象：由于基区存在自偏压效应，在晶体管关断过程中使发射极边缘部分反偏，边缘关断而中心仍导通，于是出现电流集中现象 3、二次击穿特性，和所有继电器一样。值得说明的是当第一次雪崩击穿后，加在BJT上的能力超过临界值才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。1、作为放大器，应用在电源串联调压电路，音频和超声波
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1 功率晶体管的特性
1、通态特性：大注入下基区和集电区发生调制效应，通态压降很低 2、开关特性：关断过程中的电流集中现象：由于基区存在自偏压效应，在晶体管关断过程中使发射极边缘部分反偏，边缘关断而中心仍导通，于是出现电流集中现象 3、二次击穿特性，和所有继电器一样。值得说明的是当次雪崩击穿后，加在BJT上的能力超过临界值才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。
1、作为放大器，应用在电源串联调压电路，音频和超声波放大等领域 2、作为大功率半导体开关，电视机行输出电路，电机控制，不停电电源和汽车电子 3、GTR模块，应用于交流传动，逆变器和开关电源。
1、当BB结正偏、CB结反偏时，功率晶体管处于放大模式 2、当BB结合CD结均正偏时，功率晶体管处于饱和模式 3、当BB结零偏或反偏、CB结反偏时，功率晶体管处于截止模式。 功率晶体管的放大作用表现为：用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流；或者将较小的功率按比例放大为较大的功率。
1、额定电压 2、电流定额：集电极大电流Icm，集电极持续电流Ic 3、集电极大耗散功率：Pcm（管壳为25℃时） 4、高结温Tmj（一般为150℃） 5、开关时间：开通时间、存储时间、下降时间 [1]